Wie kann das gehen fragen sich jetzt sicher viele... so:
Jeder MOSFET hat eine interne Diode, die dazu führt, das z.B. bei einem N-Kanal-MOSFET über selbige auch ohne Gatespannung der Strom fließt, wenn er "verkehrt gepolt" ist, d.h. wenn man an Source (+) und an Drain (-) anschließt.
Gibt man jetzt aber eine positive Spannung (noch positiver als das (+) an Source, d.h. man benötigt eine zweite Spannung) auf das Gate, sinkt der Spannungsdrop z.B. bei einem BUZ11 @ 500 mA von 700 mV 20 mV ! Das kommt daher, dass ein durchgesteuerter MOSFET an seiner Source-Drain-Strecke den Strom in BEIDE RICHTUNGEN gleich durchlässt! Ein sehr nützlicher Effekt für Synchrongleichrichter!
Nimmt man jetzt 4 MOSFETS, kann man damit erstmal einen normalen Diodengleichrichter bauen, zum Testen sollte man das Gate mit Source verbinden, damit der MOSFET nicht durch statische Aufladung aufmacht.
Was nun noch fehlt, ist eine Ansteuerung der Gates so, dass die die MOSFEST immer dann, wenn ihre interne Diode leitend würde/wird ebenfalls Durchsteuern und in Sperrichtung ihrer internen diode öffnen. Und voilá: man hat einen Synchrongleichrichter mit nahezu 0V Spannungsabfall!
Hat das schonmal jemand in real aufgebaut oder zumindest mit LTSpice?
Hier nochmal die Bildliche Erklärung für das obige, evtl. schwer verständliche Gelaber:
Um einen besseren Eindruck vom geringen Drop zu bekommen, habe ich als Last 0,1 Ohm und als Spannung 1 V genommen, damit die paar mV Drop (blaue Linie) nicht total untergehen.
