MOSFET Output Characteristics Diagramm

[Danney]

Hallo zusammen,

Im Anhang ist das typische Id - Vds- Vgs Diagramm dass man bei jedem FET findet. Ich verstehe es aber noch nicht richtig, wer kann es mir erklären?

Vgs sei fest 5V, dann wei sich schon mal welche Kurve auf mich zutrifft.
Normalerweise gibt die x-Achse den Ton an das heißt Vds bestimmt jetzt den maximal möglichen Strom ?! Es müsste eigentlich andersherum sein, Id fliest über Rds und ergibt so Vds. oder?

Mein Problem ist: Ich habe am Gate 5V, will Emitter mit 0,7A antreiben und frage mich ober diese FET mit dem Diagramm im Anhang diese Ströme bei 5V am Gate treiben kann?

[TomTTiger]

Hallo Danney

also ich sehe das so :
Wenn Vgs 5V anliegt, dann zeigt dir das Diagramm den maximalen Strom Id im verhältnis zur angelegten Vds an.

Beispiel bei Vgs = 5V
Um einen Id von 10A zu erreichen, musst du an Vds ungefähr 0,6V anlegen, oder andersrum :
Wenn du bei Vgs von 5V eine Spannung von Vds 1V hast, dann fließt ein Id von ~17-18A (Kann ich nich so genau erkennen)

Du bekommst also als Innenwiderstand ca. 60 mOhm (ermittelt aus 0,6V / 10A). Der ist aber normal auch im Datenblatt angegeben...
Das solltest du beachten bei der Bauteileauslegung.

Id fliest über Rds und ergibt so Vds

Ist doch egal wie rum du das also liest

Machbar sollte also ein Strom von 0,7A Ids mit dem Mosi schon sein
Musst nur noch den Leckstrom des Mosis beachten bei der Bauteileauslegung.

So sehe ich das, aber ob ich damit wirklich 100% richtig liege, kann ich dir auch nicht sagen (Lang lang her ists mit Elektronikbasteleien).


Grüße
Tom

[CRI 93+ / Ra 93+]

Damit ein Strom zustandekommt, muss ja erstmal eine Spannung da sein, je nach R_DS_on ist der Resultierende Strom kleiner oder größer.

Jedenfalls kann der MOSFET bei 5V am Gate weit mehr als 10 ampere schalten, ca. 18 schätze ich, bei 10V am Gate sind es schon über 20 Ampere. 0,7A ist ein Witz für das Ding: also kein Problem!

[Mirfaelltkeinerein]

Wenn man das Diagramm andersrum liest, ist es einfacher: Bei einem bestimmten Strom (und einer bestimmten Gate-Sourece-Spannung) fällt über dem FET eine bestimmte Drain-Source-Spannung ab. Diese Spannung mal dem fließenden Strom gibt die Verlustleistung im FET. Wenn du erst die X-Achse lesen möchtest, kannst du dir aussuchen, welchen Spannungsabfall zwischen Drain und Source du dir leisten kannst. Dann kannst du nachsehen, welchen Strom du bei gegebener Gatespannung du durch den FET bekommst oder welche Gatespannung du brauchst, um den gewünschten Strom zu bekommen. Ein höherer Strom oder eine höhere Gatespannung ist dann für die meisten Anwendungen (FET als Schalter) eher noch von Vorteil.